Общие характеристики

Тип памяти

DDR4

Форм фактор

LRDIMM

Количество контактов

288

Тактовая частота

2133 МГц

Пропускная способность

17000 Мб/с

Объем

1 модуль 32Gb

Поддержка ECC

есть

Буферизованная (Registered)

да

Низкопрофильная (Low Profile)    

нет

Тайминги

CAS Latency (CL)

15

RAS to CAS Delay (tRCD)

15

Row Precharge Delay (tRP)

15

Дополнительно

Напряжение питания    

1.2 В